TK10A60D場效應晶體管**緣柵MOS管

場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，驪微電子代理的場效應管具有如下特點。

（1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；

（2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。

（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；

（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；

（5）場效應管的抗輻射能力強；

（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

TK10A60D**緣柵場效應管參數：

晶體管極性: N-Channel

汲極/源極擊穿電壓: 600 V

漏極連續電流: 10 A

電阻汲極/源極 RDS（導通）: 0.75 Ohms

配置: Single

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220 SIS

封裝: Tube

下降時間: 100 ns

柵極電荷 Qg: 25 nC

功率耗散: 45 W

上升時間: 55 ns

典型關閉延遲時間: 15 ns

TK10A60D場效應器件憑借其低功耗、性能穩定、抗輻射能力強等**勢，在集成電路中已經有逐漸取代三極管，驪微電子代理的TK10A60D因其具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、制造工藝簡單等特點，在大規模和超大規模集成電路中被廣泛得到應用。