上海伯東美國 KRi 射頻離子源應用于國產離子束濺射鍍膜機 IBSD
上海伯東客戶某高校使用國產品**離子束濺射鍍膜機用于金屬薄膜制備, 工藝過程中, 國產離子源鎢絲僅使用 18個小時就會燒斷, 必須中斷鍍膜工藝更換鎢絲, 無法滿足長時間離子束濺射鍍膜的工藝要求, 導致薄膜質量低的情況. 客戶需要離子源的穩定工作時間不低于 48個小時, 經過伯東推薦**終改用美國 KRi 射頻離子源 RFICP 100 替換原有的國產離子源, 單次工藝時間可以達到數百小時, 完全符合客戶長時間鍍膜的工藝要求, 維持高穩定離子束濺射工藝獲得高品質薄膜.
上海伯東真空濺射鍍膜機離子源改造方案:
根據客戶 4寸基材和工藝條件, 推薦選用射頻離子源 RFICP 100, 配置中和器 (LFN) 和自動控制器, 替換國產離子源后可以長時間工作( 時長＞100h)！
1. 設備: 國產離子束濺射鍍膜機 IBSD
2. 基材: 4寸 wafer, 鍍鉭 Ta 單層非晶薄膜
3. 美國 KRi 射頻離子源 RFICP 100, 氣體：Ar gas
4. 離子源條件: Vb max:1200V ( 離子束電壓 ), Ib max:＞400mA ( 離子束電流 )
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上海伯東射頻離子源 RFICP 100 主要技術規格:
小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流.
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射頻功率 |
600W |
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離子束電流 |
> 400mA |
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離子束電壓 |
100-1200eV |
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氣體 |
Ar, O2, N2,其他 |
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流量 |
5-20 sccm |
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工作壓力 |
< 0.5mTorr |
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離子束柵極 |
10cm Φ |
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柵極材質 |
鉬, 石墨 |
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離子束流形狀 |
平行,聚焦,散射 |
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中和器 |
LFN 2000 |
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高度 |
23.5 cm |
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直徑 |
19.1 cm |
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安裝法蘭 |
10”CF 或 內置型 1”引入端子 |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等**域, 上海伯東是美國 KRi考夫曼公司離子源中國總代理.
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