KRi 離子源常見工藝應用
通過使用上海伯東美國 KRi 離子源可以對材料進行加工, 真空環境下, 實現沉積薄膜, 干式蝕刻和材料表面改性等工藝.
KRi 離子源常見工藝應用
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工藝應用 |
簡稱 |
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In-situ substrate preclean 預清潔 |
PC |
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Ion-beam modification of material and surface properties |
IBSM |
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- Surface polishing or smoothing 表面拋光 |
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- Surface nanostructures and texturing |
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- Ion figuring and enhancement 離子計算和增強 |
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- Ion trimming and tuning 離子修整和調諧 |
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- Surface-activated bonding 表面激活鍵合 |
SAB |
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Ion-beam-assisted deposition 輔助鍍膜 |
IBAD |
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Ion-beam etching 離子蝕刻 |
IBE |
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- Reactive ion-beam etching 活性離子束蝕刻 |
RIBE |
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- Chemically assisted ion-beam etching 化學輔助離子束蝕刻 |
CAIBE |
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Ion-beam sputter deposition 離子濺射 |
IBSD |
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- Reactive ion-beam sputter deposition 反應離子濺射 |
RIBSD |
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- Biased target ion-beam sputter deposition |
BTIBSD |
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Direct deposition 直接沉積 |
DD |
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- Hard and functional coatings |
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1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等**域, 上海伯東是美國 KRi考夫曼公司離子源中國總代理.
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